سامسونگ اعلام کرده است که انتظار دارد تولید تراشه HBM خود را در سال جاری سه برابر کند.
به دنبال نسل سوم HBM2E و نسل چهارم HBM3 که در حال حاضر در حال تولید انبوه هستند، قصد داریم نسل پنجم HBM 12 لایه و محصولات 128 گیگابایتی DDR5 مبتنی بر 32 گیگابیت را در مقادیر زیاد در نیمه اول سال تولید کنیم. SangJoon Hwang، EVP و رئیس تیم محصولات و فناوری DRAM در سامسونگ طی سخنرانی در Memcon 2024 گفت.
ما انتظار داریم با این محصولات حضور خود را در حافظه با کارایی بالا و ظرفیت بالا در عصر هوش مصنوعی افزایش دهیم.
Snowbolt
سامسونگ قصد دارد در سال جاری 2.9 برابر حجم تولید تراشه های HBM افزایش دهد که از پیش بینی 2.5 برابری که قبلا در CES 2024 اعلام شده بود، بیشتر است. این شرکت همچنین نقشه راهی را به اشتراک گذاشت که جزئیات تولید HBM آینده خود را نشان می دهد و افزایش 13.8 برابری در محموله های HBM را پیش بینی می کند. 2026 نسبت به 2023.
سامسونگ از Memcon 2024 برای به نمایش گذاشتن تراشه HBM3E 12H خود - اولین DRAM 12 پشته ای HBM3E در صنعت - استفاده کرد که در حال حاضر با مشتریان در حال نمونه برداری است. این به دنبال تولید انبوه 24 گیگابایتی 8H HBM3E Micron در ماه های آینده خواهد بود.
بر اساس گزارش The Korea Economic Daily ، سامسونگ همچنین از برنامه های خود برای HBM4 و نسل ششم تراشه HBM خود که این شرکت آن را Snowbolt نامیده است، صحبت کرده است. سامسونگ او میگوید قصد دارد برای افزایش کارایی، قالب بافر، یک دستگاه کنترل، را در لایه پایینی حافظه انباشته اعمال کند. با این حال، هیچ اطلاعاتی در مورد اینکه نسل آینده HBM چه زمانی روشن خواهد شد، ارائه ن کرد.
سامسونگ علیرغم اینکه بزرگترین سازنده تراشه های حافظه در جهان است، از رقیب اصلی SK Hynix در بخش تراشه های HBM عقب مانده است و مجبور است برای تقویت تولید آنچه که به دلیل سرعت پردازش برترش یک جزء حیاتی در مسابقه هوش مصنوعی است، سرمایه گذاری زیادی کند.
SK Hynix قرار نیست کار را برای سامسونگ آسان کند. دومین سازنده بزرگ تراشه های حافظه جهان اخیراً اعلام کرده است که قصد دارد بزرگترین مرکز تولید تراشه را که تا به حال در خوشه نیمه هادی Yongin در استان Gyeonggi، کره جنوبی دیده شده، بسازد.
ارسال نظر