بازار فعلی حافظه با ارزش 165 میلیارد دلار در سال تحت سلطه DRAM و فلش NAND است. اولی سریع با استقامت عالی است اما فرار است و نیاز به به روز رسانی مداوم داده ها دارد. از طرف دیگر، دومی غیرفرار است، داده ها را در صورت خاموش بودن حفظ می کند، اما کندتر است و استقامت دوچرخه سواری برنامه/پاک کردن ضعیفی دارد.
ULTRARAM که توسط Quinas Technology توسعه یافته است، یک اسپین آف از دانشگاه لنکستر در بریتانیا، مزایای هر دو را ترکیب می کند و حافظه سریع و غیر فرار با استقامت بالا و انرژی سوئیچینگ بسیار کم را ارائه می دهد.
این فناوری که اخیراً در اجلاس Flash Memory Summit برنده جایزه شده است، از طول عمر بالاتری نسبت به حافظه فلش برخوردار است، با سرعت خواندن/نوشتن حافظه سیستم مطابقت دارد و به انرژی کمتری نیاز دارد.
تونل زنی رزونانسی
ULTRARAM از یک فرآیند مکانیکی کوانتومی به نام تونل زنی رزونانس استفاده می‌کند و آن را قادر می‌سازد تا با قابلیت‌های نوشتن و پاک‌کردن سریع و کم‌انرژی، غیرفرار را ارائه دهد که منجر به استقامت بالا می‌شود. این ترکیب از ویژگی‌ها قبلاً دست نیافتنی تلقی می‌شد، و چرا برخی از آن به عنوان " جام مقدس برای فناوری حافظه " یاد می‌کنند.
ULTRARAM مبتنی بر سیلیکون نیست، بلکه از مواد شناخته شده به عنوان نیمه هادی های ترکیبی III-V، از جمله آنتی مونید گالیم (GaSb)، آرسنید ایندیم (InAs) و آنتی مونید آلومینیوم (AlSb) استفاده می کند.
برخلاف فلش مموری که از یک سد اکسیدی با مقاومت بالا برای حفظ بار استفاده می‌کند، ULTRARAM از لایه‌های نازک اتمی InAs/AlSb برای ایجاد یک ساختار محصور کننده بار «TBRT» (TBRT) استفاده می‌کند. این اجازه می دهد تا ULTRARAM بین حالت بسیار مقاومتی و حالت بسیار رسانا سوئیچ کند و ویژگی های منحصر به فرد خود را به آن بدهد.
بهره وری انرژی ULTRARAM مطمئناً چشمگیر است. انرژی سوئیچینگ آن در واحد سطح 100 برابر کمتر از DRAM، 1000 برابر کمتر از فلاش و بیش از 10000 برابر کمتر از سایر حافظه های در حال ظهور است. اعتبار بسیار کم انرژی آن با خواندن غیر مخرب و عدم فرار آن بیشتر می شود که نیاز به تجدید را از بین می برد.
استقامت ULTRARAM نیز قابل توجه است. Quinas ادعا می کند که عملکرد بدون تخریب بیش از 10 میلیون چرخه برنامه/پاک کردن را نشان داده است.
توسعه ULTRARAM به موقع است، از آنجایی که مراکز داده مقادیر روزافزونی از برق مصرف می کنند. با کاهش انرژی مورد نیاز برای زنده نگه داشتن داده ها در حافظه فعال یا جابجایی آن بین حافظه ذخیره شده و فعال، ULTRARAM می تواند تقاضای انرژی بخش را به میزان قابل توجهی کاهش دهد.
و یک فایده دیگر؟ مخترعان می گویند که می توان آن را با استفاده از فرآیندهای تولید موجود در صنایع نیمه هادی و سیلیکون به تولید انبوه رساند.
ارسال نظر