سامسونگ تراشه NAND 400 لایه ای را برای مراکز داده هوش مصنوعی عرضه می کند

فناوری جدید BV NAND چگالی را افزایش می دهد و تجمع گرما را به حداقل می رساند

برای توسعه ظرفیت تا سال 2030 برای 1000 لایه NAND برنامه ریزی شده است

طبق گزارش‌ها، سامسونگ در تلاش است تا سال 2026 یک تراشه فلش NAND عمودی 400 لایه‌ای را به بازار عرضه کند.

گزارشی از Korea Economic Daily می گوید که بخش راه حل های دستگاه سامسونگ (DS) با هدف پیشبرد بازار فلش NAND با V10 NAND پیشرفته خود که برای پاسخگویی به تقاضای فزاینده در مراکز داده هوش مصنوعی طراحی شده است، هدف دارد.

نقشه راه حافظه این شرکت، همانطور که در گزارش ذکر شده است، برنامه‌هایی را برای نسل دهم NAND پیشرفته نشان می‌دهد که از فناوری پیوند برای ساخت جداگانه سلول‌های حافظه و مدارهای جانبی روی ویفرهای مختلف استفاده می‌کند و بعداً آنها را در یک تراشه واحد ترکیب می‌کند. این رویکرد جدید که به عنوان اتصال NANDFlash عمودی (BV NAND) شناخته می‌شود، تجمع گرما را به حداقل می‌رساند و ظرفیت و عملکرد را به حداکثر می‌رساند و چیزی را ایجاد می‌کند که سامسونگ آن را "NAND رویایی برای هوش مصنوعی" توصیف کرده است.

1000 لایه تا سال 2030

طراحی BV NAND با افزایش 1.6 برابری در تراکم بیت در واحد سطح، از درایوهای حالت جامد با ظرفیت فوق العاده بالا (SSD) ایده آل برای برنامه های هوش مصنوعی پشتیبانی می کند.

تراشه‌های 286 لایه‌ای V9 NAND فعلی سامسونگ نقطه عطف مهمی را رقم زدند، اما انتظار داریم که V10 400 لایه محدودیت‌های ظرفیت را بازتعریف کند و به طور بالقوه آستانه ذخیره‌سازی 200 ترابایتی را برای SSD‌های فوق‌العاده مقیاس‌کننده هوش مصنوعی بشکند و در عین حال بهره‌وری انرژی را بهبود بخشد.

برای عرضه‌های آینده، بزرگ‌ترین سازنده تراشه‌های حافظه جهان قصد دارد نسل یازدهم V11 NAND را در سال 2027 با سرعت انتقال داده 50 درصد سریع‌تر معرفی کند و عملکرد را برای نیازهای ذخیره‌سازی داده با تقاضای بالا بهینه‌سازی کند.

به گزارش KED، نقشه راه جاه طلبانه NAND سامسونگ با برنامه هایی برای تراشه های بیش از 1000 لایه تا سال 2030 بیشتر گسترش می یابد. هدف این پیشرفت حفظ سامسونگ در خط مقدم بازار NAND با ظرفیت بالا است، جایی که تقاضا توسط برنامه‌های هوش مصنوعی که به راه‌حل‌های ذخیره‌سازی گسترده برای پردازش حجم وسیعی از داده‌ها نیاز دارند، تحریک می‌شود.

در بخش DRAM، سامسونگ قصد دارد نسل ششم DRAM 1c و نسل هفتم DRAM 1d را تا پایان سال 2024 عرضه کند و هدف آن استفاده در تراشه‌های هوش مصنوعی با کارایی بالا است. طبق گزارش Korea Economic Daily ، این شرکت همچنین برنامه هایی برای DRAM زیر 10 نانومتر 0a تا سال 2027 دارد که از ساختار ترانزیستور کانال عمودی برای پایداری و کارایی بیشتر استفاده می کند.

شما هم ممکن است دوست داشته باشید