متن خبر

سامسونگ برای اولین بار تولید انبوه حافظه ۱ ترابیتی QLC V-NAND را آغاز می‌کند

سامسونگ برای اولین بار تولید انبوه حافظه ۱ ترابیتی QLC V-NAND را آغاز می‌کند

شناسهٔ خبر: 748227 -




سامسونگ یکی از بزرگ‌ترین تولیدکنندگان تراشه در سطح جهان به‌شمار می‌رود که محصولات ساخته شده توسط آن، در اغلب محصولات این شرکت و سایر برندها مورد استفاده قرار می‌گیرد. کره‌ای‌ها به‌تازگی اعلام کرده‌اند که تولید انبوه حافظه‌های ۱ ترابیتی از نوع QLC V-NAND را آغاز کرده‌اند و به‌زودی می‌توانیم شاهد ورود محصولاتی به بازار با حافظه مذکور باشیم.

حافظه ۱ ترابیت QLC V-NAND چه برتری‌هایی دارد؟

حافظه‌های جدید سامسونگ که از نوع QLC هستند و از نسل نهم فناوری V-NAND بهره می‌گیرند، از اهمیت بالایی به‌دلیل سرعت زیاد در خواندن و نوشتن اطلاعات برخوردارند. سامسونگ چندی قبل خبر از توسعه حافظه‌های TLC V-NAND داده‌ بود و اکنون توانسته با تولید انبوه نمونه‌های QLC، سرعت بیشتری را به ارمغان آورد. حافظه ۱ ترابیتی (۱۲۵ گیگابایتی) جدید این شرکت، می‌تواند ۴ بیت را در هر سلول ذخیره کند و چگالی حافظه بیشتری را در همان اندازه سابق، فراهم سازد.

حافظه ۱ ترابیت QLC V-NAND سامسونگ

حافظه ۱ ترابیتی QLC V-NAND نسبت به نسل‌ها و فناوری‌های توسعه قبلی، حدود ۳۰ درصد سرعت خواندن و ۵۰ درصد سرعت نوشتن بیشتری را ارائه می‌کند. همچنین مصرف انرژی در این نوع از حافظه‌ها در مقایسه با گذشته، کمتر شده است که از اهمیت بالایی در دستگاه‌های همراه برخوردار است. یکی از مدیران بخش حافظه سامسونگ در گفته‌های خود، اشاره کرده است که محصولات جدید این شرکت هم‌زمان با نیاز شدید بازار به حافظه‌های جدید SSD توسعه‌یافته‌اند که می‌توانند بخش مهمی از نیاز صنعت حافظه به‌خصوص در زمینه هوش‌مصنوعی را تأمین نمایند.

یکی از پیشرفت‌های مهم سامسونگ در ساخت حافظه ۱ ترابیت QLC V-NAND، افزایش تعداد لایه‌های ذخیره‌کننده داده بوده است؛ به‌طوری که ساختار لایه‌ای حدود دو برابر بیشتر از قبل شده است و بهبود اندازه و محیط اطراف هر سلول هم، توانسته چگالی حافظه نسبت به نسل قبل را تا ۸۶ درصد افزایش دهد. سامسونگ در این فرایند از فناوری Designed Mold بهره گرفته است؛ فناوری که امکان بهبود خواص مربوط به سلول‌ها در لایه‌های سطحی و داخلی را فراهم می‌سازد. همین موضوع به نگهداری بهتر داده و جلوگیری از آسیب به اطلاعات کمک کرده و پایداری حافظه‌های جدید این شرکت را ۲۰ درصد نسبت به گذشته بهبود داده است.

حافظه ۱ ترابیت QLC V-NAND سامسونگ

از دیگر پیشرفت‌های سامسونگ در فرایند ساخت حافظه‌های جدید می‌توان به دو برابر کردن سرعت نوشتن داده‌ها اشاره کرد. این امر با حذف عملیات‌های غیرضروری محقق شده است و نه‌تنها سرعت بیشتری را در اختیار کاربر قرار می‌دهد؛ بلکه مصرف انرژی حافظه‌های جدید را هم در مقایسه با قبل، بهینه‌تر کرده است. تراشه‌های QLC V-NAND به‌صورت عمده در حافظه‌های SSD مورد استفاده قرار می‌گیرند و محصولات زیادی ازجمله گوشی‌های هوشمند، لپ‌تاپ‌ها و کامپیوترهای رومیزی به آنها متکی هستند. نسل جدید حافظه‌های سامسونگ احتمالاً در ابتدا برای مراکز داده و سرورها مورد استفاده قرار می‌گیرند و در ادامه احتمالاً شاهد حضور آنها در دستگاه‌های دیگر ازجمله گوشی‌ها و کامپیوترها خواهیم بود.

خبرکاو

ارسال نظر

دیدگاه‌ها بسته شده‌اند.


تبليغات ايهنا تبليغات ايهنا

تمامی حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به خبرکاو است و استفاده از مطالب با ذکر منبع بلامانع است