متن خبر

مینگ-چی کو: داغ‌شدن آیفون ۱۵ پرو نه به‌خاطر تراشه ۳ نانومتری بلکه به‌دلیل ایرادات طراحی است

مینگ-چی کو: داغ‌شدن آیفون ۱۵ پرو نه به‌خاطر تراشه ۳ نانومتری بلکه به‌دلیل ایرادات طراحی است

شناسهٔ خبر: 438084 -




از زمانی که آیفون ۱۵ پرو معرفی شد، گزارش‌های زیادی درباره داغ‌شدن بیش از حد این دستگاه منتشر شده است. مینگ-چی کو تحلیلگر معروف بازار او میگوید این مشکلات به تراشه ۳ نانومتری  A17 پرو مربوط نمی‌شود. بلکه این موضوع به‌دلیل تغییرات طراحی دستگاه ایجاد شده است.  

تراشه A17 پرو آیفون ۱۵ پرو اولین پردازنده ۳ نانومتری اپل و TSMC است. برخی کاربران ظاهرا تصور می‌کنند که این تراشه باعث شده تا دستگاه آن‌ها بیش از حد گرم شود. اما حالا مینگ-چی کو او میگوید دلیل بروز این مشکلات، به دلیل تغییراتی است که اپل روی تیتانیوم ایجاد و مدل‌های آیفون ۱۵ پرو را سبک‌تر از مدل‌های قبلی طراحی کرده است.

علت گرم شدن بیش از حد آیفون ۱۵ پرو چیست؟

تحلیلگر اپل در گزارشی به این موضوع اشاره می‌کند که برخی کاربران بر این باور هستند که مشکلات مربوط به داغ‌شدن بیش از حد سری آیفون ۱۵ پرو به طراحی پیشرفته تراشه ۳ نانومتری TSMC مربوط می‌شود. در صورتی که واقعاً علت بروز این مشکل به تراشه ۳ نانومتری جدید ارتباطی ندارد. مینگ‌چی‌ کو او میگوید به احتمال زیاد علت بروز این مشکل به طراحی سیستم حرارتی دستگاه برای دستیابی به وزن سبک‌تر مربوط می‌شود. برای مثال در موبایل جدید سطح اتلاف گرما کاهش پیدا کرده است و از قاب تیتانیومی استفاده شده است که این موارد می‌تواند تأثیر منفی روی دستگاه داشته باشد و باعث بیش از حد گرم‌شدن آن شود.

مینگ چی کو پیش‌بینی می‌کند که اپل می‌تواند این مشکلات را از طریق به‌روزرسانی نرم افزاری برطرف کند. اما بهینه‌سازی از این طریق محدود خواهد بود و این شرکت احتمالاً مجبور خواهد شد تا قدرت پردازنده را کاهش دهد.

اگر اپل به‌درستی به این مشکل رسیدگی نکند، این ایراد بزرگ می‌تواند بر فروش محصولات این شرکت تأثیر منفی داشته باشد.

برچسب‌ها

ارسال نظر




تبليغات ايهنا تبليغات ايهنا

تمامی حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به خبرکاو است و استفاده از مطالب با ذکر منبع بلامانع است