سامسونگ از مدل‌سازی رایانه‌ای پیشرفته برای سرعت بخشیدن به توسعه حافظه انتخابگر (SOM) استفاده کرده است، یک فناوری حافظه جدید که عدم فرار را با سرعت خواندن/نوشتن شبیه DRAM و قابلیت انباشتگی ترکیب می‌کند.

بر اساس تحقیقات قبلی این شرکت در این زمینه، SOM بر اساس معماری های حافظه متقاطع، مشابه حافظه تغییر فاز و RAM مقاومتی (RRAM) است که در آن از آرایه های انباشته الکترودها استفاده می شود. به طور معمول، این معماری‌ها به یک ترانزیستور یا دیود انتخابگر نیاز دارند تا سلول‌های حافظه خاص را تحلیل کند و از مسیرهای الکتریکی ناخواسته جلوگیری کند.

سامسونگ با کاوش در مواد مبتنی بر کالکوژنید که هم به عنوان انتخابگر و هم به عنوان عنصر حافظه عمل می کنند، رویکرد جدیدی اتخاذ کرده است و شکل جدیدی از حافظه غیر فرار را معرفی می کند.

جستجوی گسترده تر

eeNews Analog گزارش می دهد که محققان سامسونگ یافته های خود را در نشست بین المللی دستگاه های الکترونیکی امسال ( IEDM ) که از 7 تا 11 دسامبر در سانفرانسیسکو برگزار می شود، ارائه خواهند کرد. غول فناوری کره جنوبی در مورد چگونگی غربالگری طیف گسترده ای از مواد کالکوژنید برای کاربردهای SOM بحث خواهد کرد.

سامسونگ او میگوید که مطالعه‌اش بیش از 4000 ترکیب مواد را مورد تحلیل قرار داده است و آنها را با استفاده از مدل‌سازی رایانه‌ای مبتنی بر Ab-initio به 18 نامزد امیدوارکننده محدود کرده است (نمودار بالای صفحه را ببینید). تمرکز بر بهبود رانش ولتاژ آستانه و بهینه سازی پنجره حافظه بود - دو عامل کلیدی در عملکرد SOM.

تحقیقات سنتی SOM به استفاده از سیستم‌های کالکوژنید Ge، As و Se که در سوئیچ‌های آستانه تخمکی (OTS) یافت می‌شود، محدود شده است. با این حال، سامسونگ او میگوید فرآیند مدل‌سازی جامع آن، با در نظر گرفتن آپشن های اتصال، پایداری حرارتی و قابلیت اطمینان دستگاه برای افزایش عملکرد و کارایی، امکان جستجوی گسترده‌تری را فراهم می‌کند.

در ارائه بعدی IEDM، گزارش‌های آنالوگ eeNews ، محققان IMEC مکانیسم‌های اتمی بالقوه، مانند بازآرایی پیوند اتمی محلی و جداسازی اتمی را مورد بحث قرار خواهند داد، که می‌تواند نحوه عملکرد مولفه انتخابگر در SOM را توضیح دهد، و بر ولتاژ آستانه تأثیر بیشتری بگذارد - عامل مهمی در عملکرد حافظه

بیشتر از TechRadar Pro